首页> 外文OA文献 >Combined PEALD gate-dielectric and in-situ SiN cap-layer for reduced Vth shift and RDS-ON dispersion of AlGaN/GaN HEMTs on 200 mm Si wafer

【2h】

Combined PEALD gate-dielectric and in-situ SiN cap-layer for reduced Vth shift and RDS-ON dispersion of AlGaN/GaN HEMTs on 200 mm Si wafer

机译：结合PEALD栅极介电层和原位SiN覆盖层，以减少200mm硅片上AlGaN / GaN HEMT的Vth漂移和RDS-ON分散

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

status: published

机译：状态：已发布

著录项

作者
Ronchi Nicolo; De Jaeger Brice; Van Hove Marleen; Roelofs Robin; Wu Tian-Li; Hu Jie; Kang Xuanwu; Decoutere Stefaan;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2014
总页数
原文格式 PDF
正文语种 en
中图分类

相似文献

外文文献
专利

1. Combined plasma-enhanced-atomic-layer-deposition gate dielectric and in situ SiN cap layer for reduced threshold voltage shift and dynamic ON-resistance dispersion of AlGaN/GaN high electron mobility transistors on 200mm Si substrates [J] . Ronchi Nicolo, De Jaeger Brice, Van Hove Marleen, Japanese journal of applied physics . 2015,第4s期

机译：结合等离子体增强原子层沉积栅极电介质和原位SiN覆盖层，可降低200mm Si衬底上AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的阈值电压漂移和动态导通电阻色散
2. In-situ passivation combined with GaN buffer optimization for extremely low current dispersion and low gate leakage in Si_3N_4/AlGaN/GaN HEMT devices on Si (111) [J] . M. Germain, K. Cheng, J. Derluyn, Physica status solidi . 2008,第6期

机译：原位钝化与GaN缓冲优化相结合，可在Si（111）上的Si_3N_4 / AlGaN / GaN HEMT器件中实现极低的电流分散和极低的栅极泄漏
3. In-situ SiN combined with etch-stop barrier structure for high-frequency AlGaN/GaN HEMT [J] . Min-Han Mi, Sheng Wu, Ling Yang, 中国物理：英文版 . 2020,第004期

机译：原位SiN与刻蚀阻挡势垒结构相结合，用于高频AlGaN / GaN HEMT
4. Optimization of the source field-plate design for low dynamic RDS-ON dispersion of AlGaN/GaN MIS-HEMTs [C] . Nicolo Ronchi, Benoit Bakeroot, Shuzhen You, . 2016

机译：优化AlGaN / GaN MIS-HEMT的低动态RDS-ON色散源场板设计
5. Influence of Oxygen–Plasma Treatment on In-Situ SiN/AlGaN/GaN MOSHEMT with PECVD SiO2 Gate Insulator [O] . Geunho Cho, Ho-young Cha, Hyungtak Kim 2019

机译：氧等离子体处理对采用PECVD SiO2栅极绝缘体的原位SiN / AlGaN / GaN MOSHEMT的影响
6. Improvement of the Dynamic Characteristics of Au-free AlGaN/GaN Schottky Diodes on 200 mm Si Wafers by Surface Treatments [O] . Lenci Silvia, Hu Jie, Van Hoov Marleen, 2014

机译：通过表面处理改善200 mm Si晶片上无金的AlGaN / GaN肖特基二极管的动态特性
7. Contactless Mobility, Carrier Density, and Sheet Resistance Measurements on Si, GaN, and AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) Wafers. [R] . Tompkins, R. P., Nguyen, D. 2015

机译：si，GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管（HEmT）晶片的非接触迁移率，载流子密度和薄层电阻测量。

Combined PEALD gate-dielectric and in-situ SiN cap-layer for reduced Vth shift and RDS-ON dispersion of AlGaN/GaN HEMTs on 200 mm Si wafer

摘要

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅