Nonvolatile memory; Computer architecture; Split gate flash memory cells; Logic gates; Microprocessors; Transistors; Reliability;
机译:用于汽车的28 nm嵌入式分栅MONOS(SG-MONOS)闪存宏通过170 MHz的200 MHz无等待读取操作实现了6.4 GB / s的读取吞吐量,在170的Tj处实现了2.0 MB / s的写入吞吐量<公式> >
机译:90 nm以下2位/单元分裂栅闪存单元的器件缩放注意事项
机译:12位,1-MSPS,5.0 V SAR ADC的电容器介电弛豫效果取消电路在28nm嵌入式闪存微控制器上
机译:具有1.05V的分流门闪存的缩放选择晶体管28 nm嵌入式闪存技术
机译:关于优化分裂栅闪存单元的设计。
机译:铁电栅极场效应晶体管的最新进展及其在非易失性逻辑和FeNAND闪存中的应用
机译:n通道分栅嵌入式闪存中p型浮栅的编程效率高