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IEEE International Memory Workshop
IEEE International Memory Workshop
召开年:
2018
召开地:
Kyoto(JP)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Cross Point Cu-ReRAM with BC-Doped Selector
机译:
具有BC掺杂选择器的交叉点Cu-ReRAM
作者:
Kazuhiro Ohba
;
Shuichiro Yasuda
;
Tetsuya Mizuguchi
;
Hiroaki Sei
;
Tomohito Tsushima
;
Masayuki Shimuta
;
Tsunenori Shiimoto
;
Tetsuya Yamamoto
;
Takeyuki Sone
;
Seiji Nonoguchi
;
Akira Kouchiyama
;
Wataru Otsuka
;
Katsuhisa Aratani
;
Keiichi Tsutsui
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Thermal stability;
Leakage currents;
Optical switches;
Annealing;
Chalcogenides;
Stability analysis;
2.
Scaling of Split-Gate Flash Memory with 1.05V Select Transistor for 28 nm Embedded Flash Technology
机译:
具有1.05V选择晶体管的分栅门闪存的规模可用于28 nm嵌入式闪存技术
作者:
Nhan Do
;
J.W. Yang
;
Y. J. Sheng
;
C. S. Su
;
M. T. Wu
;
H. Ouyang
;
H. Liang
;
S. Hariharan
;
M. Tadayoni
;
J. Norman
;
T. Vu
;
A. Ly
;
S. Hong
;
H. Tran
;
V. Tiwari
;
C.H. Chen
;
T.F. Ou
;
C.C. Shih
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Nonvolatile memory;
Computer architecture;
Split gate flash memory cells;
Logic gates;
Microprocessors;
Transistors;
Reliability;
3.
Challenges in Automotive Memory Solutions
机译:
汽车存储器解决方案中的挑战
作者:
Hai Wang
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Automotive engineering;
Integrated circuits;
Reliability engineering;
Aging;
Safety;
Robustness;
4.
A Built-In Self Test Compensating Process-Voltage Variation in Data Paths of High Performance DRAMs
机译:
内置的自测功能可补偿高性能DRAM数据路径中的过程电压变化
作者:
Juseop Park
;
Kee-Won Kwon
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Delays;
Random access memory;
Built-in self-test;
Oscillators;
Clocks;
Read only memory;
5.
A Comprehensive Study on DDR4 MRAM and ReRAM Power Estimation Using a Parameterized NVM Power Calculator
机译:
使用参数化NVM功率计算器的DDR4 MRAM和ReRAM功率估计的综合研究
作者:
Won Ho Choi
;
Martin Lueker-Boden
;
Michael Grobis
;
Neil Robertson
;
Zvonimir Bandic
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
SDRAM;
Nonvolatile memory;
Mathematical model;
Power demand;
Calculators;
Metals;
Estimation;
6.
Understanding Endurance in TiN/a-Si/TiOx/TiN RRAM Devices
机译:
了解TiN / a-Si / TiOx / TiN RRAM器件的耐久性
作者:
Subhali Subhechha
;
Robin Degraeve
;
Attilio Belmonte
;
Ludovic Goux
;
Gabriele Luca Donadio
;
Philippe Roussel
;
Kristin De Meyer
;
Jan Van Houdt
;
Gouri Sankar Kar
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Switches;
Programming;
Electric breakdown;
Delays;
Grain boundaries;
Kinetic theory;
Modulation;
7.
40 nm Ultralow-Power Charge-Trap Embedded NVM Technology for IoT Applications
机译:
适用于IoT应用的40 nm超低功耗电荷陷阱嵌入式NVM技术
作者:
Igor Kouznetsov
;
Krishnaswamy Ramkumar
;
Venkatraman Prabhakar
;
Long Hinh
;
H.M. Shih
;
S. Saha
;
S. Govindaswamy
;
M. Amundson
;
D. Dalton
;
T. Phan
;
Z. Luzada
;
V. Raghavan
;
V. Agrawal
;
Kevin Donnelly
;
P.C. Shih
;
C.C. Huang
;
K.L. Lee
;
C.H. Wang
;
C.H. Huang
;
C.H. Lin
;
Y.K. Sheu
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
SONOS devices;
Nonvolatile memory;
Logic gates;
Transistors;
Power supplies;
Temperature distribution;
Standards;
8.
Cost Effective FinFET Platform for Stand Alone DRAM 1Y and Beyond Memory Periphery
机译:
具有成本效益的FinFET平台,适用于独立DRAM 1Y和其他存储外设
作者:
Alessio Spessot
;
Neha Sharan
;
Hyungrock Oh
;
Romain Ritzenthaler
;
Eugenio Dentoni Litta
;
Barry OSullivan
;
Arindam Mallik
;
An De Keersgieter
;
Bertrand Parvais
;
Yasser Sherazi
;
Vladimir Machkaoutsan
;
Cheolgyu Kim
;
Pierre Fazan
;
Dan Mocuta
;
Anda Mocuta
;
Naoto Horiguchi
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
FinFETs;
Random access memory;
Doping;
Memory management;
9.
Error Characterization and ECC Usage Relaxation beyond 20nm Floating Gate NAND Flash Memory
机译:
超过20nm浮栅NAND闪存的错误特征和ECC使用放松
作者:
S.H. Ku
;
T.W. Lin
;
C.H. Cheng
;
C.W. Lee
;
Ti-Wen Chen
;
Wen-Jer Tsai
;
T.C. Lu
;
W.P. Lu
;
K.C. Chen
;
Tahui Wang
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Error correction codes;
Stress;
Computer architecture;
Flash memories;
Microprocessors;
Bit error rate;
Interference;
10.
Error-Reduction Controller Techniques of TaOx-Based ReRAM for Deep Neural Networks to Extend Data-Retention Lifetime by Over 1700x
机译:
用于深度神经网络的基于TaOx的ReRAM的减少错误的控制器技术,可将数据保留寿命延长1700倍以上
作者:
Yoshiaki Deguchi
;
Kazuki Maeda
;
Shun Suzuki
;
Toshiki Nakamura
;
Ken Takeuchi
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Error correction codes;
Image recognition;
Proposals;
Reliability;
Weight measurement;
Convolution;
Feature extraction;
11.
Ferroelectric HfO2 and Its Impact on the Memory Landscape
机译:
铁电HfO2及其对记忆格局的影响
作者:
Stefan Mueller
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Computer architecture;
Random access memory;
Microprocessors;
Nonvolatile memory;
Hafnium compounds;
Ferroelectric films;
Flash memories;
12.
Ferroelectric TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN Capacitors with Low-Voltage Operation and High Reliability for Next-Generation FRAM Applications
机译:
具有低压工作和高可靠性的铁电TiN / Hf0.5Zr0.5O2 / TiN电容器,适用于下一代FRAM应用
作者:
Si Joon Kim
;
Jaidah Mohan
;
Chadwin D. Young
;
Luigi Colombo
;
Jiyoung Kim
;
Scott R. Summerfelt
;
Tamer San
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Capacitors;
Random access memory;
Semiconductor device measurement;
Hysteresis;
Switches;
Voltage measurement;
Pulse measurements;
13.
Enhancing Magnetic Immunity of STT-MRAM with Magnetic Shielding
机译:
通过磁屏蔽增强STT-MRAM的抗磁能力
作者:
Bharat Bhushan
;
Lim Teck Guan
;
Danny Shum
;
Eva Wai Leong Ching
;
Boo Yang Jung
;
Wei Yi Lim
;
Wanbing Yi
;
Francis Poh
;
Juan Boon Tan
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Magnetic shielding;
Magnetic tunneling;
Magnetic noise;
Magnetic separation;
Magnetic flux leakage;
Saturation magnetization;
14.
Implementation of Functionally Complete Boolean Logic and 8-Bit Adder in CMOS Compatible 1T1R RRAMs for In-Memory Computing
机译:
CMOS兼容的1T1R RRAM中用于内存计算的功能完整的布尔逻辑和8位加法器的实现
作者:
Zhuorui Wang
;
Yi Li
;
Yu-Ting Su
;
Yaxiong Zhou
;
Kangsheng Yin
;
Long Cheng
;
Ting-Chang Chang
;
Kanhao Xue
;
Simon Sze
;
Xiangshui Miao
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Adders;
Computer architecture;
Computational complexity;
Random access memory;
Mathematical model;
Transistors;
Logic gates;
15.
Low Cost Diode as Selector Device for Embedded Phase Change Memory in Advanced FD-SOI Technology
机译:
低成本二极管作为先进FD-SOI技术中嵌入式相变存储器的选择器
作者:
Jean-Jacques Fagot
;
Philippe Boivin
;
Vincenzo Della-Marca
;
Jeremie Postel-Pellerin
;
Damien Deleruyelle
;
Olivier Weber
;
Emmanuel Richard
;
Franck Arnaud
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Standards;
Implants;
Phase change materials;
Semiconductor device modeling;
Semiconductor diodes;
Leakage currents;
16.
Study of Counter-Pulse (CP) Programming Method to Improve the Vt Distribution for 3D Charge-Trapping NAND Flash Devices
机译:
改进3D电荷陷阱NAND闪存器件的Vt分布的反脉冲(CP)编程方法的研究
作者:
Yung Chun Lee
;
Wei-Chen Chen
;
Hang-Ting Lue
;
Chih-Chang Hsieh
;
Kuo-Ping Chang
;
Ping-Hsien Lin
;
Hsiang-Pang Li
;
Keh-Chung Wang
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Programming;
Three-dimensional displays;
Flash memories;
Electron traps;
Logic gates;
Interference;
Acceleration;
17.
Self-Referenced Read Methodology for EMs
机译:
EM的自参考阅读方法
作者:
Marco Sforzin
;
Graziano Mirichigni
;
Alessandro Orlando
;
Paolo Amato
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Encoding;
Random access memory;
Reliability;
Threshold voltage;
Computer architecture;
Switches;
Uncertainty;
18.
System Performance Analysis of Bit-Alterable 3D NAND Flash Devices for High-Performance Solid-State Drive (SSD) Applications
机译:
用于高性能固态驱动器(SSD)应用的可更改位的3D NAND闪存系统性能分析
作者:
Hung-Sheng Chang
;
Hang-Ting Lue
;
Yuan-Hao Chang
;
Hsiang-Pang Li
;
Keh-Chung Wang
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Three-dimensional displays;
Flash memories;
Programming;
Junctions;
Performance evaluation;
Layout;
System performance;
19.
High Density 3D Cross-Point STT-MRAM
机译:
高密度3D交叉点STT-MRAM
作者:
Yiming Huai
;
Hongxin Yang
;
Xiaojie Hao
;
Zihui Wang
;
Roger Malmhall
;
Kimihiro Sato
;
Jing Zhang
;
Dong Ha Jung
;
Xiaobin Wang
;
Pengfa Xu
;
Bing K. Yen
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Switches;
Three-dimensional displays;
Magnetic tunneling;
Resistance;
Performance evaluation;
Computer architecture;
Very large scale integration;
20.
The Analysis of Erase Voltage Variability in 70-nm Split-Gate Flash Memory Arrays
机译:
70 nm分离门闪存阵列中擦除电压变异性的分析
作者:
Yuri Tkachev
;
Jong-Won Yoo
;
Alexander Kotov
;
Lawrence T. Clark
;
Keith E. Holbert
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Tunneling;
Logic gates;
Split gate flash memory cells;
Couplings;
Electric potential;
Voltage measurement;
Correlation;
21.
Atom Switch with Improved Cycle Endurance using Field Enhancement for Nonvolatile SoC
机译:
使用场增强技术的非易失性SoC具有改善的循环寿命的原子开关
作者:
Toshitsugu Sakamoto
;
Yukihide Tsuji
;
Xu Bai
;
Makoto Miyamura
;
Ayuka Morioka
;
Ryusuke Nebashi
;
Naoki Banno
;
Koichiro Okamoto
;
Noriyuki Iguchi
;
Hiromitsu Hada
;
Tadahiko Sugibayashi
;
Munehiro Tada
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Switches;
Field programmable gate arrays;
Electrodes;
Nonvolatile memory;
Routing;
Energy efficiency;
Random access memory;
22.
Phase-Change Memory: Performance, Roles and Challenges
机译:
相变存储器:性能,角色和挑战
作者:
Gabriele Navarro
;
Guillaume Bourgeois
;
Julia Kluge
;
Anna Lisa Serra
;
Anthonin Verdy
;
Julien Garrione
;
Marie-Claire Cyrille
;
Nicolas Bernier
;
Audrey Jannaud
;
Chiara Sabbione
;
Mathieu Bernard
;
Emmanuel Nolot
;
Frederic Fillot
;
Pierre Noe
;
Leila Fellouh
;
Guillaume Rodriguez
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Phase change materials;
Programming;
Standards;
Current density;
Electrodes;
Temperature distribution;
Thermal conductivity;
23.
Optimizing Programming Energy for Improved RRAM Reliability for High Endurance Applications
机译:
优化编程能量以提高高耐久性应用的RRAM可靠性
作者:
Gilbert Sassine
;
Diego Alfaro Robayo
;
Cecile Nail
;
Jean-Francois Nodin
;
Jean Coignus
;
Gabriel Molas
;
Etienne Nowak
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Programming;
Stress;
Switches;
Resistance;
Degradation;
Hafnium compounds;
Random access memory;
24.
Oxygen Distribution around Filament in Ta-O Resistive RAM Fabricated Using 40 nm CMOS Technology
机译:
使用40 nm CMOS技术制造的Ta-O电阻RAM中的细丝周围的氧分布
作者:
Masashi Arita
;
Atsushi Tsurumaki-Fukuchi
;
Yasuo Takahashi
;
Zhiqiang Wei
;
Shunsaku Muraoka
;
Satoru Ito
;
Shinichi Yoneda
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Switches;
Modulation;
Scanning electron microscopy;
Tantalum;
Resistance;
Brightness;
25.
In-Memory Computing with Memristor Arrays
机译:
忆阻器阵列的内存中计算
作者:
Can Li
;
Daniel Belkin
;
Yunning Li
;
Peng Yan
;
Miao Hu
;
Ning Ge
;
Hao Jiang
;
Eric Montgomery
;
Peng Lin
;
Zhonguir Wang
;
John Paul Strachan
;
Mark Barnell
;
Qing Wu
;
R. Stanley Williams
;
J. Joshua Yang
;
Qiangfei Xia
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Memristors;
Training;
Transistors;
Resistance;
Biological neural networks;
Computer architecture;
Tumors;
26.
High-Quality PUF Extraction from Commercial RRAM Using Switching-Time Variability
机译:
利用切换时间变异性从商用RRAM中提取高质量PUF
作者:
Manan Suri
;
Supriya Chakraborty
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Switches;
Hardware;
Nonvolatile memory;
Security;
Semiconductor device measurement;
Integrated circuits;
Hamming distance;
27.
Mott Memory Devices Based on the Mott Insulator (V1-xCrx)2O3
机译:
基于Mott绝缘子(V1-xCrx)2O3的Mott存储器件
作者:
Julien Tranchant
;
Madec Querre
;
Etienne Janod
;
Marie-Paule Besland
;
Benoet Corraze
;
Laurent Cario
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Insulators;
Switches;
Resistance;
Electrodes;
Electric potential;
Thick films;
28.
RRAM/CMOS-Hybrid Architecture of Annealing Processor for Fully Connected Ising Model
机译:
用于全连接伊辛模型的退火处理器的RRAM / CMOS混合架构
作者:
Shogo Matsumoto
;
Hidenori Gyoten
;
Masayuki Hiromoto
;
Takashi Sato
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Annealing;
Integrated circuit modeling;
Mathematical model;
Power demand;
Cloning;
Numerical models;
Computer architecture;
29.
ReRAM Technologies for Embedded Memory and Further Applications
机译:
用于嵌入式存储器和更多应用的ReRAM技术
作者:
Satoru Ito
;
Yukio Hayakawa
;
Zhiqiang Wei
;
Shunsaku Muraoka
;
Koichi Kawashima
;
Hideto Kotani
;
Kazuyuki Kouno
;
Masayoshi Nakamura
;
Guo An Du
;
Jiann Fu Chen
;
Stanley PL Yeoh
;
Mars HY Chen
;
Takumi Mikawa
;
Shinichi Yoneda
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Sensors;
Metals;
Electrodes;
Reliability;
Switches;
Hydrogen;
Etching;
30.
Cu Filament Based Resistive Switching and Oxidation Reduction through Dopamine Sensing in Novel Cu/MoS2/TinN Structure
机译:
新型Cu / MoS2 / TinN结构中通过多巴胺感测的铜丝电阻切换和氧化还原
作者:
Mrinmoy Dutta
;
Sreekanth Ginnaram
;
Anisha Roy
;
Siddheswar Maikap
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Switches;
Molybdenum;
Sulfur;
Sensors;
Conductivity;
Modulation;
Resistance;
31.
DRAM Retention at Cryogenic Temperatures
机译:
低温下的DRAM保留
作者:
Fiona Wang
;
Thomas Vogelsang
;
Brent Haukness
;
Stephen C. Magee
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Random access memory;
Temperature distribution;
Cryogenics;
Threshold voltage;
Computers;
Josephson junctions;
32.
Engineering and Stack Optimization of Cu -Based Selector Devices for Low Power SCM Applications
机译:
低功耗单片机应用中基于铜的选择器设备的工程设计和堆栈优化
作者:
Marinela Barci
;
Andrea Fantini
;
Augusto Redolfi
;
Shreya Kundu
;
Attilio Belmonte
;
Wouter Devulder
;
Karl Opsomer
;
Romain Delhougne
;
Ludovic Goux
;
Gouri Sankar Kar
;
Thomas Witters
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Hafnium compounds;
Switches;
Electrodes;
Voltage measurement;
Bridge circuits;
Standards;
33.
Switching and Failure Mechanism of Self-Selective Cell in 3D VRRAM by RTN-Based Defect Tracking Technique
机译:
基于RTN的缺陷跟踪技术在3D VRRAM中自选单元的切换和故障机理
作者:
Tiancheng Gong
;
Qing Luo
;
Hangbing Lv
;
Xiaoxin Xu
;
Jie Yu
;
Peng Yuan
;
Danian Dong
;
Chuanbing Chen
;
Jiahao Yin
;
Lu Tai
;
Xi Zhu
;
Shibing Long
;
Qi Liu
;
Ming Liu
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Switches;
Hafnium compounds;
Three-dimensional displays;
Failure analysis;
Energy states;
Computer architecture;
Logic gates;
34.
3D Flash Memory for Data-Intensive Applications
机译:
适用于数据密集型应用的3D闪存
作者:
Satoshi Inaba
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Three-dimensional displays;
Flash memories;
Reliability;
Computer architecture;
Scalability;
Microprocessors;
Market research;
35.
Study of Thyristor-Mode Dual-Channel NAND Flash Devices
机译:
晶闸管模式双通道NAND闪存器件的研究
作者:
Roger Lo
;
Hang-Ting Lue
;
Wei-Chen Chen
;
Pei-Ying Du
;
Tzu-Hsuan Hsu
;
Tuo-Hung Hou
;
Keh-Chung Wang
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
flash memories;
NAND circuits;
thyristors;
36.
3D-NAND Flash Solid-State Drive (SSD) for Deep Neural Network Weight Storage of IoT Edge Devices with 700x Data-Retention Lifetime Extention
机译:
用于物联网边缘设备的深度神经网络权重存储的3D-NAND闪存固态驱动器(SSD),具有700倍的数据保留寿命
作者:
Yoshiaki Deguchi
;
Ken Takeuchi
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Flash memories;
Error correction codes;
Erbium;
Neural networks;
Reliability;
Proposals;
Decoding;
37.
40nm 22nm Embedded Charge Trap Flash for Automotive Applications
机译:
适用于汽车应用的40nm和22nm嵌入式电荷陷阱闪存
作者:
James Pak
;
Chun Chen
;
Kuo-Tung Chang
;
Shiva Shetty
;
Amy Tu
;
Jonas Neo
;
Pawan Singh
;
Stefano Amato
;
Amichai Givant
;
Tim Thurgate
;
Unsoon Kim
;
Inkuk Kang
;
Yoram Betser
;
Kobi Danon
;
Yu Sun
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Computer architecture;
Microprocessors;
Programming;
Automotive applications;
38.
1T-1MTJ Type Embedded STT-MRAM with Advanced Low-Damage and Short-Failure-Free RIE Technology down to 32 nmΦ MTJ Patterning
机译:
具有先进的低损伤和无故障RIE技术的1T-1MTJ型嵌入式STT-MRAM,低至32nmΦMTJ图案
作者:
Hideo Sato
;
Toshinari Watanabe
;
Hiroki Koike
;
Takashi Saito
;
Sadahiko Miura
;
Hiroaki Honjo
;
Hirofumi Inoue
;
Shoji Ikeda
;
Yasuo Noguchi
;
Takaho Tanigawa
;
Mitsuo Yasuhira
;
Hideo Ohno
;
Song Yun Kang
;
Takuya Kubo
;
Koichi Takatsuki
;
Koji Yamashita
;
Yasushi Yagi
;
Ryo Tamura
;
Tak
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Magnetic tunneling;
Thermal stability;
Junctions;
Thermal factors;
Tunneling magnetoresistance;
Temperature measurement;
Critical current density (superconductivity);
39.
On the Key Impact of Composition of Ge-Te and Ge-Se Electrolytes on CBRAM Properties
机译:
Ge-Te和Ge-Se电解质组成对CBRAM性能的关键影响
作者:
Janaki Radhakrishnan
;
Attilio Belmonte
;
Thomas Witters
;
Sergiu Clima
;
Augusto Redolfi
;
Gouri Sankar Kar
;
Michel Houssa
;
Ludovic Goux
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Electrolytes;
Chalcogenides;
Resistance;
Switches;
Ions;
Programming;
Random access memory;
40.
Materials and Processes for Emerging Memories
机译:
新兴记忆的材料和过程
作者:
Mahendra Pakala
;
Lin Xue
;
Minrui Yu
;
Michel Frei
;
Lavinia Nistor
;
Jaesoo Ahn
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Magnetic tunneling;
Etching;
Switches;
Resistance;
Phase change random access memory;
Hafnium compounds;
Nonvolatile memory;
41.
Temperature Limits of Single and Composite Storage Layer with Different Thicknesses and Capping Materials for p-STT-MRAM Applications
机译:
p-STT-MRAM应用中具有不同厚度和封盖材料的单个和复合存储层的温度极限
作者:
Luc Tillie
;
Jyotirmoy Chatterjee
;
Ricardo Sousa
;
Stephane Auffret
;
Jude Guelfucci
;
Etienne Nowak
;
Bernard Dieny
;
Ioan-Lucian Prejbeanu
;
N. Lamard
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
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2018年
关键词:
Temperature measurement;
Thermal stability;
Temperature;
Switches;
Tunneling magnetoresistance;
Magnetic field measurement;
Stability analysis;
42.
High Temperature Stability and Performance Analysis of N-doped Ge-Se-Sb Based OTS Selector Devices
机译:
N掺杂Ge-Se-Sb基OTS选择器的高温稳定性及性能分析
作者:
Anthonin Verdy
;
Gabriele Navarro
;
Mathieu Bernard
;
Pierre Noe
;
Guillaume Bourgeois
;
Julien Garrione
;
Marie-Claire Cyrille
;
Veronique Sousa
;
Etienne Nowak
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
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2018年
关键词:
Annealing;
Temperature measurement;
Performance evaluation;
Threshold voltage;
Thermal stability;
Stress;
Leakage currents;
43.
High-Endurance Ferroelectric NOR Flash Memory Using (Ca,Sr)Bi2Ta2O9 FeFETs
机译:
使用(Ca,Sr)Bi2Ta2O9 FeFET的高耐久性铁电NOR闪存
作者:
Mitsue Takahashi
;
Wei Zhang
;
Shigeki Sakai
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Computer architecture;
Flash memories;
Scalability;
Hafnium compounds;
Threshold voltage;
Substrates;
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