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具有源极端选择晶体管的嵌入式闪存

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摘要

本发明提供一种闪存的存储单元结构(memory cell)，该存储单元结构包含选择性晶体管以及闪存，其特征在于包含所述选择性晶体管系连接于闪存的源极端，使该闪存的漏极端不再耦合该选择晶体管以避免造成压降。

1. 具有源极端选择晶体管的嵌入式闪存 [P] . 中国专利： CN1287460C . 2006.11.29
2. 具有具异质结构有源区的铁电晶体管的集成组合件 [P] . 中国专利： CN113016077A . 2021-06-22
3. Decoding circuit for dynamic semiconductor memory - has FETs as address transistors with gate spacing enabling selective conductivity, all source terminals being at substrate bias voltage [P] . 德国专利： DE2838101A1 . 1980-03-13

机译：动态半导体存储器的解码电路-具有FET作为地址晶体管，其栅极间距可实现选择性导电，所有源极端均处于衬底偏置电压
4. Display device with active-matrix transistor having silicon film modified by selective laser irradiation [P] . 美国专利： US7023500B2 . 2006-04-04

机译：具有有源矩阵晶体管的显示装置，该有源矩阵晶体管具有通过选择性激光照射改性的硅膜
5. Semiconductor memory device flash EEPROM, SRAM memory - has read circuit with selection transistor electrode terminal directly coupled to memory bit line and control terminal supplied with constant selection voltage [P] . 德国专利： DE19527543A1 . 1997-01-30

机译：半导体存储器件闪存EEPROM，SRAM存储器-具有读电路，其选择晶体管电极端子直接耦合到存储位线，并且控制端子被提供恒定的选择电压