レーザー消去された0.13μm CMOS-LSIマルチプロジェクトウェハへのTSV加工

机译：激光擦除的0.13μmCMOS-LSI多项目晶圆的TSV加工

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独自開発のセンサ・プラットフォームLSIが0.18 µmから0.13 µmルールに進化したことにともない，レーザー消去された0.13μm CMOS-LSIMPWに対するTSVプロセスを開発した。本論文では，特に技術的課題だったTSV底のバリアメタル成膜の改善について報告した。

机译：随着专有传感器平台LSI从0.18 µm到0.13 µm的发展，我们已经开发了用于激光擦除的0.13 µm CMOS-LSI MPW的TSV工艺。在本文中，我们报告了在TSV底部的阻挡金属膜形成的改进，这是一个特别的技术问题。

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来源
《センサ?マイクロマシンと応用システムシンポジウム;集積化MEMSシンポジウム;電気学会》|2018年|1-4|共4页
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作者
鈴木裕輝夫; 畑良幸; 中山貴裕; 藤吉基弘; 平野栄樹; 室山真徳; 田中秀治;
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