机译:AlON / AlGaN / GaN金属氧化物半导体结构中氮掺入Al基栅绝缘体中的影响
机译:凹陷深度对使用HfO_2栅绝缘体的Si衬底上AlGaN / GaN功率MIS-HEMT性能的影响以及不同凹陷深度的阈值电压模型
机译:具有采用SiON和HfON的双栅极绝缘体的高性能E模式AlGaN / GaN MIS-HEMT
机译:使用ALON栅极绝缘体,快速切换性能20 A / 730 V ALGAN / GAN MIS-HFET
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:使用La2O3高k氧化物栅极绝缘体的alGaN / GaN mOs-HEmT器件性能
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制