Body biasing; Leakage power; Read stability; SNM; Sleep transistors; Subthreshold applications;
机译:亚阈值FinFET SRAM,采用20nm技术,具有更高的稳定性和更低的泄漏功率
机译:基于P-P-N的10T SRAM单元,可实现低泄漏和弹性亚阈值操作
机译:亚阈值区域中基于泄漏免疫修改的通过晶体管的8T SRAM单元
机译:SRAM单元具有改善的稳定性和降低的次阈值操作漏电流
机译:纳米CMOS技术中的泄漏减少和亚阈值操作
机译:中度GSK-3β抑制改善了新生血管结构降低了血管泄漏降低了缺血性视网膜病变模型中的视网膜缺氧
机译:深度型CMOS技术温度变化下IP3 SRAM位细胞亚阈值漏电流分析