机译:用于多媒体应用的45 nm CMOS技术可降低IP3 SRAM单元的栅极泄漏电流
机译:深亚微米CMOS技术用于多媒体应用的新型低功耗SRAM位单元结构的表征
机译:深亚微米CMOS技术用于多媒体应用的新型低功耗SRAM位单元结构的表征
机译:采用45nm CMOS技术的睡眠晶体管的9T SRAM位单元中的漏电流优化
机译:纳米CMOS技术中的泄漏减少和亚阈值操作
机译:一个0.0016 mm2 0.64 nJ基于泄漏的CMOS温度传感器
机译:深层微米CMOS技术对P3和P4 SRAM细胞亚阈值漏电流的温度变化的影响分析