机译:具有极化梯度AlGaN背势垒层的InAlN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的理论研究
机译:具有极化梯度AlGaN背势垒层的InAlN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的理论研究
机译:具有AlGaN背栅的30 nm T栅极InAlN / GaN HEMT的设计和分析,用于大功率微波应用
机译:Inaln背面屏障的Algan / GaN Hemts的全量子研究
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:具有alGaN背势垒的Lg 50 nm InalN / alN / GaN HEmT的静态和动态特性,适用于高功率毫米波应用