14nm; Asymmetrical device; Chanel Orientation; DG Device; FIN thickness and FIN high; FINFET; R/WAC; RNM; SRAM; WM;
机译:接近阈值的7T SRAM单元,具有亚20纳米FinFET技术的高读写容限和低写入时间
机译:接近阈值的10T差分SRAM单元,具有三门Finfin技术的高读写余量
机译:使用FinFET的SRAM读/写裕量增强
机译:用于提高读取噪声裕度的技术和14nm FinFET节点的比特单元格的写余量
机译:用于软盘介质读/写头设计动态分析的有限元建模和实验技术的发展。
机译:乳腺组织学和光学信号的相关性以改善切缘评估技术
机译:使用FinFET的sRam读/写裕度增强