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机译:使用FinFET的SRAM读/写裕量增强
FinFET; SRAM; pass-gate feedback; pull-up write gating; variation;
机译:接近阈值的7T SRAM单元,具有亚20纳米FinFET技术的高读写容限和低写入时间
机译:接近阈值的10T差分SRAM单元,具有三门Finfin技术的高读写余量
机译:读/写余量增强的10T SRAM用于低压应用
机译:高速和低泄漏FinFET SRAM单元具有增强的读写电压裕量
机译:基于7NM FinFET的6T SRAM细胞瞬态和DC分析性能分析
机译:体硅衬底上的新型14nm扇贝形FinFET(S-FinFET)
机译:使用FinFET的sRam读/写裕度增强