HEMTs; deep levels; degradation; reliability; traps;
机译:C-DLTS界面缺陷在AL
机译:GaN RF HEMT退化与GaN中E-C-0.57 eV陷阱之间因果关系的证据
机译:通过低频S参数测量和基于TCAD的物理设备仿真识别微波功率AlGaN / GaN HEMT中的GaN缓冲阱
机译:对GaN Hemts的可靠性限制E
机译:INF56的特征,INF56是在豆类锈菌乌头霉菌感染结构发育过程中表达的基因。
机译:反向Formin 2的纳米结构自组装(INF2)和F-Actin–INF2复合物的原子揭示力显微镜
机译:通过低频s参数测量和基于TCaD的物理器件仿真识别微波功率alGaN / GaN HEmT中的GaN缓冲阱