deformation potential; electron; mobility; phonon mobility; strain; stress; substrate doping concentration;
机译:单轴和双轴应变nMOSFET中有效迁移率的低温表征
机译:单轴拉伸(001)nMOSFET的反型层中四重谷限制电子压电有效质量系数的证据
机译:单轴压缩应变nMOSFET中的栅极直接隧穿电流:电子压电有效质量的灵敏测量
机译:使用单轴应变NMOSFET中有效变形电位的电子迁移率的衬底掺杂浓度依赖性
机译:存在高κ栅极绝缘体的块状Si NMOSFET中的电子传输:电荷俘获和迁移率
机译:氟化HfO2 / SiON栅堆叠的单轴应变nMOSFET的电学特性
机译:应变锗通道调制掺杂异质结构中有效质量,迁移率和传输时间的空穴密度依赖性
机译:硼掺杂硅中空穴迁移率,有效质量和电阻率的温度和掺杂浓度依赖性的理论和实验研究