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机译:单轴和双轴应变nMOSFET中有效迁移率的低温表征
IMEP, ENSERG, Federation de Recherche FMNT-RA, BP 257, 38016 Grenoble Cedex, France;
机译:单轴拉伸应变nMOSFET中低频噪声特性的温度依赖性
机译:低温对FD SOI nMOSFET单轴应变行为的影响
机译:单轴拉伸(001)nMOSFET的反型层中四重谷限制电子压电有效质量系数的证据
机译:单轴和双轴应变N-MOSFET中有效迁移率的低温表征
机译:拉伸硅:单轴和双轴应变产生过程,以及绝缘体上硅MOSFET的迁移率提高。
机译:氟化HfO2 / SiON栅堆叠的单轴应变nMOSFET的电学特性
机译:压缩单轴应变pmOsFET中声子散射限制迁移率的增强温度依赖性