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机译:单轴压缩应变nMOSFET中的栅极直接隧穿电流:电子压电有效质量的灵敏测量
Department of Electronics Engineering and the Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan;
Effective mass; MOSFET; mechanical stress; piezo; quantum confinement; tunneling; uniaxially compressive strain;
机译:单轴拉伸(001)nMOSFET的反型层中四重谷限制电子压电有效质量系数的证据
机译:γ射线总剂量辐射效应对单轴应变硅纳米级NMOSFET热载流子栅极电流的影响
机译:单轴应变SOI三栅极nMOSFET的器件设计和电子传输特性
机译:利用单轴应变nMOSFET中有效变形势的电子迁移率对衬底掺杂浓度的依赖性
机译:超薄氧化物CMOS技术中的模拟集成电路设计,具有显着的直接隧穿感应栅极电流。
机译:氟化HfO2 / SiON栅堆叠的单轴应变nMOSFET的电学特性
机译:单轴应变对直接间隙Ge1-xsnx合金电子有效质量和隧道效应的影响
机译:压缩应变InxGa1-xsb量子阱中shubnikov-de Haas振荡和孔有效质量测量的研究