BSIMSOI; EKV; SOI/SOS MOSFETs; compact model; floating-body effects; kink-effect; parameter extraction; radiation effects; radiation hardness; simulation time; subcircuit approach;
机译:CMOS VLSI电路上总剂量效应的开关级仿真
机译:0.25微米CMOS / SOI集成电路存储技术的总剂量和SEU表征
机译:130 nm部分耗尽的SOI CMOS技术中富硅浅沟槽隔离对总电离剂量硬化和栅极氧化物完整性的影响
机译:用EKV-rad Macromodel模拟模拟信号SOI / SOS CMOS电路的总剂量影响
机译:用于CMOS混合信号电路的总电离剂量辐射效应的分层仿真方法。
机译:用于片上温度监控的CMOS-SOI集成温度感测电路的研究
机译:CMOS混合信号电路上总电离剂量辐射效应的分层仿真方法