MOS capacitors; silicon compounds; wide band gap semiconductors; interface states; random-access storage; semiconductor storage; charge-retention time; 4H-SiC MOS capacitors; interface defects; gate voltage; nonvolatile random-access memory elements; high temperature capacitance-transient measurements; SiC-SiO/sub 2 /interface traps; gate oxide processing; interface-trap density; SiC-SiO/sub 2/;
机译:比较n和p型4H-SiC MOS电容器作为非易失性存储元件的电荷保留时间
机译:带有AlON / SiO_2叠栅电介质的4H-SiC MOS电容器中的SiO_2 / SiC界面电荷的平带电压偏移
机译:氧化物半导体和氧化氧化物界面在邻接偶极层形成的4H-SiC MOS电容器的平带电压偏移
机译:4H-SiC MOS电容器中电荷保持时间与界面缺陷和施加的栅极电压的关系
机译:超高压4H-SiC双向绝缘栅双极晶体管。
机译:膜蛋白中电压耦合的微观电容器模型:Ci-VSD中的门控电荷波动
机译:电子非均匀性演化的sTm / s研究 石墨烯:界面缺陷的筛选和电荷状态的作用