机译:使用中性束蚀刻技术通过低损伤工艺提高硅微机械谐振器的机械品质因数
机译:使用谐振板形状和旋流晶体压电对硅MEMS谐振器的高质量系数设计
机译:低温冷却对兰姆波模式氮化铝硅压电体MEMS谐振器品质因数的影响
机译:使用自对准无掩模工艺将多孔硅作为吸气剂引进,以提高包装MEMS谐振器的质量因子
机译:引入多孔硅作为牺牲材料,以在SOI晶片的衬底中获得空腔,以及用于MEMS器件的吸气材料
机译:Q-系数提高薄膜压电对硅MEMS谐振器通过呼吸晶体反射器复合结构
机译:Q-系数提高薄膜压电对硅MEMS谐振器通过呼吸晶体反射器复合结构