Trap Generation; Trapping; positive bias temperature instability (PBTI); stress induced leakage current (SILC);
机译:高(kappa)门堆叠中正偏置温度不稳定性(PBTI)的快速分量的电荷捕获模型
机译:互补多脉冲技术在高k /金属栅n型金属氧化物半导体场效应晶体管上捕获正偏压温度不稳定性的特性的观察
机译:HfO_2 nMOSFET中氧空位引起的电荷俘获和正偏压温度不稳定性
机译:基于Silc的捕获和陷阱生成制度的重新分配,积极偏置温度不稳定
机译:CMOS VLSI和EEPROMs绝缘子中电离辐射诱导的电荷陷阱和界面陷阱产生的研究。
机译:低温N2与2坐标L2Fe0结合可实现L2FeN2-和NH3生成的还原捕集。
机译:负偏置温度不稳定性的最新问题:初始退化,界面陷阱生成的场依赖性,空穴陷阱效应和弛豫
机译:在环形等离子体中俘获电子态中电流驱动的离子波不稳定性的淬灭