interface trap; gate oxide trap; subthreshold current.;
机译:SOI NMOSFET中分离前沟道热载流子应力引起的前,后栅极界面和氧化物陷阱的精制正向栅极二极管方法
机译:用于无结三栅极MOSFET的新亚阈值电流模型,以检查界面陷阱电荷效应
机译:适用于四栅极MOSFET的新的界面陷阱电荷降低的亚阈值电流模型
机译:通过MOSFET亚阈值电流提取和分离接口和栅极氧化阱的准确方法
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:电荷捕获在MOS2-SiO2接口上的影响对MOS2场效应晶体管的亚阈值摆动的稳定性
机译:一种从基板偏压依赖性亚阈值中提取在短通道MOSFET中的接口陷阱密度的新方法
机译:辐照mOsFET中固定和界面陷阱电荷分离的亚阈值技术