... N-polar GaN; HEMT; ohmic contacts;
机译:In(Ga)N再生长对自对准N极GaN高电子迁移率晶体管的超低非合金欧姆接触电阻
机译:In(Ga)N再生长对自对准N极GaN高电子迁移率晶体管的超低非合金欧姆接触电阻
机译:在AlGaN / GaN Hemts中的非合金欧姆接触,具有ingaN的Mocvd再生,用于KA波段应用
机译:通过基于(GA)N基于(Ga)n的源极 - 排水再生的超低欧姆触点到N-极性GaN Hemts
机译:用金属有机化学沉积和器件表征设计和外延生长超尺寸的N-极性GaN /(IN,Al,Ga)N的垫圈
机译:AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌
机译:高电阻率Si衬底的AlGaN / GaN Hemts欧姆接触氧等离子体处理优化
机译:具有重掺杂n + -GaN欧姆接触2DEG的自对准栅GaN-HEmT。