公开/公告号CN105047709A
专利类型发明专利
公开/公告日2015-11-11
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201510524897.2
申请日2015-08-25
分类号H01L29/778;H01L21/335;H01L29/417;H01L29/423;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人任岩
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-12-18 12:02:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-11
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/778 申请公布日:20151111 申请日:20150825
发明专利申请公布后的视为撤回
2015-12-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 申请日:20150825
实质审查的生效
2015-11-11
公开
公开
机译: 具有相互交叉的栅极,源极和漏极的高功率,GaN基FET的布局设计
机译: 垂直晶体管,包括底部源极/漏极区域,栅极结构以及在底部源极/漏极区域和栅极结构之间形成的气隙
机译: 具有低栅极-漏极电容和高栅极-源极电容的垂直GaN JFET