Silicon-interposer with high density Cu-filled TSVs

机译：具有高密度填充铜的TSV的硅中介层

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A silicon-interposer technology with high density Cu-filled TSVs and Cu-based redistribution layers was realized. Test structures in a process control module were used for electrical characterization.

机译：实现了具有高密度填充铜的TSV和基于铜的再分布层的硅中介层技术。使用过程控制模块中的测试结构进行电气表征。

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来源
《2010 IEEE International 3D Systems Integration Conference》|2010年|p.1-4|共4页
会议地点
作者
Wieland R.; Zoschke K.; Jurgensen N.; Merkel R.; Nebrich L.; Wolf J.;
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正文语种
中图分类计算机仿真;
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