Silicon-interposer with high density Cu-filled TSVs

机译：具有高密度Cu填充TSV的硅插入器

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A silicon-interposer technology with high density Cu-filled TSVs and Cu-based redistribution layers was realized. Test structures in a process control module were used for electrical characterization.

机译：实现了具有高密度Cu填充TSV和Cu基再分配层的硅插入器技术。过程控制模块中的测试结构用于电学表征。

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来源
《IEEE International Conference on 3D System Integration》|2010年||共4页
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作者
Wieland R.; Zoschke K.; Jurgensen N.; Merkel R.; Nebrich L.; Wolf J.;
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中图分类 TP391.7-53;
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