【24h】

Improved radiation response of PDSOI LBBC BUSFET

机译:改善PDSOI LBBC BUSFET的辐射响应

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摘要

Partially Depleted Silicon-On-Insulator (PDSOI) Low Barrier Body Contact (LBBC) Body Under Source FET (BUSFET) is proposed by using ISE TCAD 2D process and device simulation. The difference between LBBC BUSFET and normal BUSFET is given. LBBC BUSFET shows improved resistance to radiation over normal BUSFET, thanks to lower body contact resistance and reduced junction barrier height. PDSOI LBBC BUSFET is more suitable for radiation hard applications.
机译:通过使用ISE TCAD 2D工艺和器件仿真,提出了部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)低势垒体接触(LBBC)体的源极FET(BUSFET)。给出了LBBC BUSFET和普通BUSFET之间的差异。 LBBC BUSFET显示出比普通BUSFET更高的耐辐射性,这是由于较低的车身接触电阻和减小的结势垒高度。 PDSOI LBBC BUSFET更适合于抗辐射应用。

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