maskless lithography; parallel e-beam systems; multi electron beam;
机译:用于高通量无掩模电子束光刻的多轴和多束技术
机译:在22nm技术节点用MMOS批量模型中递减各种优化技术对强反转和亚阈值区域的影响
机译:PVT变化下的FinFET电路模块的延迟/功率建模和优化:观察22nm和14nm技术节点之间的趋势
机译:PML2:22nm节点及超频的无掩模多滨解决方案
机译:22nm过程节点中不同SRAM变化的调查
机译:PML2介导的线状核体标志着Hutchinson-Gilford早衰综合征的晚期衰老
机译:无掩模多束激光照射可实现大面积纳米结构制造