EUV lithography; EUV imaging; EUV reticle defectivity; EUV alpha demo tool; EUV resist;
机译:使用DDR工艺制造高纵横比透射光栅,以通过EUV干涉光刻技术评估10 nm EUV抗蚀剂
机译:使用DDR工艺制造高纵横比传动光栅10nm EUV抗蚀剂评估通过EUV干扰光刻
机译:使用DDR工艺制造高纵横比传动光栅通过EUV干扰光刻使用DDR工艺进行10-NM EUV抵抗评估
机译:全场EUV光刻:在EUV ADT成像,EUV抗蚀剂和EUV旋能术中了解的经验教训
机译:EUV光刻系统幅度和相位瞳孔变化的测量
机译:高敏感性抗蚀性对EUV光刻进行抗衡性:材料设计策略和绩效结果综述
机译:EUV抗蚀剂和IC制造过程开发的现状,实现EUV光刻到2x DRAM及更远
机译:光化掩模成像:sHaRp EUV显微镜的最新结果和未来方向。会议:极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:期刊出版日期:2014年4月17日。