首页> 外文会议>IEEE International Reliability Physics Symposium >ELECTRO-OPTICAL RELIABILITY CHARACTERIZATION OF ADVANCED Cu/Low-k INTERCONNECTS
【24h】

ELECTRO-OPTICAL RELIABILITY CHARACTERIZATION OF ADVANCED Cu/Low-k INTERCONNECTS

机译:高级Cu / Low-K互连的电光可靠性表征

获取原文

摘要

We show that the leakage currents of Cu/Low-k advanced interconnects are sensitive to light. This effect depends on temperature, materials and aging: therefore it is a tool for assessing the reliability of these integrated devices.
机译:我们表明CU / Low-K高级互连的漏电流对光敏感。这种效果取决于温度,材料和老化:因此它是一种用于评估这些集成装置的可靠性的工具。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号