机译:局部深度瞬态瞬态光谱使用超高阶扫描非线性介电显微镜及其在成像SiO2 / SIC接口陷阱的二维分布中的应用
机译:SiC / SiO2 SiC MOSFET接口陷阱分布对TCAD模拟评估C-V测量的影响
机译:各个界面陷阱的能级分布和电荷泵理论的基本改进
机译:SiO_2 / Si界面陷阱能量分布的微观理论:历史回顾和一些新成果
机译:硅/二氧化硅界面陷阱处的电子-空穴复合以及薄氧化物MOS晶体管中的隧穿的理论和实验。
机译:电荷捕获在MOS2-SiO2接口上的影响对MOS2场效应晶体管的亚阈值摆动的稳定性
机译:响应“关于”超薄金属氧化物半导体结构“Appl”中的Si / SiO2接口捕集能量分布的“评论”的响应。物理。吧。 81,3681(2002)