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Response to “Comment on ‘Reliable extraction of the energy distribution of Si/SiO2 interface traps in ultrathin metal–oxide–semiconductor structures’ ” Appl. Phys. Lett. 81, 3681 (2002)

机译:响应“关于”超薄金属氧化物半导体结构“Appl”中的Si / SiO2接口捕集能量分布的“评论”的响应。物理。吧。 81,3681(2002)

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