机译:响应“关于”超薄金属氧化物半导体结构“Appl”中的Si / SiO2接口捕集能量分布的“评论”的响应。物理。吧。 81,3681(2002)
机译:对“关于“ GaN金属半导体场效应晶体管中的载流子俘获和电流崩溃机制”的评论”的回应。物理来吧86,016101(2005)]
机译:评论“ GaN金属半导体场效应晶体管中的载流子俘获和电流塌陷机制” [Appl。物理来吧84,1970(2004年)]
机译:缩回:“亚kT / q亚阈值斜率p-金属氧化物半导体场效应晶体管,其单晶Pb(Zr,Ti)O_3具有高度可靠的负电容” [Appl。物理来吧108,103504(2016)]
机译:氧化速率和金属化后退火对4H-n-SiC∶SiO
机译:使用门控霍尔法提取InGaAs金属氧化物半导体结构中的载流子迁移率和界面陷阱密度。
机译:回应关于一种利用聚合物测量细胞粘附力的方法的评论微型悬臂梁 应用物理来吧104236103(2014)
机译:使用高温氢退火'“Appl,响应4H-SiC n型金属氧化物半导体结构中的”关于“界面状态密度的界面密度的降低。”物理。吧。 78,4043(2001)