首页> 中文期刊> 《核电子学与探测技术》 >Si/SiO2系统的总剂量辐射损伤及辐射感生界面态的能级分布

Si/SiO2系统的总剂量辐射损伤及辐射感生界面态的能级分布

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

对比了目前常用的三种用54HC电路制作工艺制作的MOS电容的总剂量辐射实验结果,并从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度,研究了在不同制作工艺条件下,54HC电路Si/SiO2系统总剂量辐射损伤特性.

著录项

来源
《核电子学与探测技术》 |2006年第3期|328-330|共3页
作者
余学峰; 张国强; 艾尔肯; 郭旗; 陆妩; 任迪远;
展开▼
作者单位

中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐,830011;

中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐,830011;

中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐,830011;

中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐,830011;

中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐,830011;

中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐,830011;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化学与其他学科的关系;
关键词
MOS电容; 氧化物电荷; 界面态; 能级分布;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. MOS电离辐照感生Si—SiO2界面态及其密度的能级分布 [J] . 吾勤之 ,王方 . 核技术 . 1989,第004期
2. Si—SiO2界面的辐射感生界面态 [J] . 李杰 ,严荣良 . 核技术 . 1991,第003期
3. Si/SiO_2及Si/SiO_2/Si_3N_4系统的总剂量辐射损伤 [J] . 范隆 ,郝跃 ,余学峰 . 西安电子科技大学学报 . 2003,第4期
4. AlGaN/GaN异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气输运的影响 [J] . 范隆 ,李培咸 ,郝跃 . 半导体学报：英文版 . 2003,第9期
5. 硅棚MOS结构的辐射感生界面态 [J] . 张玲珊 ,吾勤之 ,刘昶时 . 微电子学与计算机 . 1989,第12期
6. MOSFET沟道热载流子与总剂量辐照感生界面态的差异模型及两种损伤的相互作用关系 [C] . 任迪远 ,余学峰 ,艾尔肯 . 第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 . 2005
7. 双极晶体管辐射损伤效应及深能级缺陷研究 [A] . 刘超铭 . 2013

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号