首页> 外文会议>Electronic Components and Technology Conference, 2006. Proceedings. 56th >Copper Die Bumps (First Level Interconnect) and Low-K Dielectrics in 65nm High Volume Manufacturing

【24h】

Copper Die Bumps (First Level Interconnect) and Low-K Dielectrics in 65nm High Volume Manufacturing

机译：65nm大批量生产中的铜芯片凸块（第一级互连）和低介电常数

获取原文

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

not avaliable

机译：无法使用

著录项

来源
《Electronic Components and Technology Conference, 2006. Proceedings. 56th》|2006年|P.1611-1615|共5页
会议地点
作者
Yeoh A.; Chang M.; Pelto C.; Tzuen-Luh Huang; Balakrishnan S.; Leatherman G.; Agraharam S.; Guotao Wang; Zhiyong Wang; Chiang D.; Stover P.; Brandenburger P.;
展开▼
作者单位

展开▼
会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类工业技术;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Under Bump Metallurgy Study on Copper/Low-k Dielectrics for Fine Pitch Flip Chip Packaging [J] . SeungWook Yoon, Vaidyanathan Kripesh, Su Yong Ji Jeffery, Journal of Electronic Materials . 2004,第10期

机译：用于精细间距倒装芯片封装的铜/低k电介质的凹凸冶金研究
2. Remote H_2/N_2 plasma processes for simultaneous preparation of low-k interlayer dielectric and interconnect copper surfaces [J] . Xin Liu, Sandeep Gill, Fu Tang, Journal of Vacuum Science & Technology . 2012,第3期

机译：远程H_2 / N_2等离子体工艺可同时制备低k层间电介质和互连铜表面
3. Time Dependent Dielectric Breakdown in Copper Low-k Interconnects: Mechanisms and Reliability Models [J] . Terence K.S. Wong Materials . 2012,第9期

机译：低k铜互连中随时间变化的介电击穿：机理和可靠性模型
4. Copper Die Bumps (First Level Interconnect) and Low-K Dielectrics in 65nm High Volume Manufacturing [C] . Yeoh A., Chang M., Pelto C., Electronic Components and Technology Conference . 2006

机译：铜模凸块（第一电平互连）和65nm大批量生产中的低k电介质
5. Interfacial adhesion and subcritical debonding of low-k dielectrics in flip-chip-packaged copper/low-k interconnect structures. [D] . Miller, Mikel Rolf. 2000

机译：倒装芯片封装的铜/低k互连结构中低k电介质的界面粘附和亚临界剥离。
6. Time Dependent Dielectric Breakdown in Copper Low-k Interconnects: Mechanisms and Reliability Models [O] . Terence K.S. Wong 2012

机译：铜低k互连中随时间变化的介电击穿：机理和可靠性模型
7. Time Dependent Dielectric Breakdown in Copper Low-k Interconnects: Mechanisms and Reliability Models [O] . Terence K.S. Wong 2012

机译：铜低k互连中与时间相关的介电击穿：机制和可靠性模型

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号