机译:使用栅极尺寸,栅极长度偏置和阈值电压选择来使数字电路的统计泄漏最小化
机译:使用栅极尺寸,栅极长度偏置和阈值电压选择来使数字电路的统计泄漏最小化
机译:选择栅极长度和栅极偏置,以使纳米级金属氧化物半导体晶体管对统计的栅极长度变化和温度变化均不敏感
机译:通过联合选择栅极尺寸,栅极长度和阈值电压,将统计泄漏降至最低
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:慢性压迫小鼠背根神经节改变中型背根神经节神经元的电压门控钠和钾电流
机译:10 A / 567 V常关P-GaN门HEMT,具有高阈值电压和低栅极漏电流
机译:多点室温下的阈值电压改善和栅极漏电流降低操作单电子晶体管(RT-sET)