机译:InGaP门控和AlGaAs门控低噪声PHEMT上与电流有关的热电子应力
机译:加速直流应力下热电子对AlGaAs / InGaAs / GaAs PHEMT的影响
机译:高电流和热加速应力作用下InGaP门控PHEMT的噪声特性
机译:电流依赖性热电应力的InGaP与Algaas-GateD低噪声PHEM的比较
机译:Barkhausen电磁噪声和声弹性:两种测量残余应力的非破坏性方法的比较。
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:噪声表征INALAS / INGAAS / INP PHEMT用于低噪声应用
机译:采用低温Gaas缓冲液增强的高性能0.15微米 - 栅极长度pHEmT