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刘训春; 陈俊; 王润梅; 王惟林; 李无瑕; 李爱珍; 陈建新; 陈意桥; 陈晓杰; 杨全魁;
中国科学院微电子中心;
中国科学院上海冶金研究所;
单电源; InGaP/InGaAs; PHEMT; 低噪声单片放大器;
机译:采用InGaP / InGaAs增强模式PHEMT技术的3至5 GHz超宽带低噪声放大器
机译:具有高IP3的InGaP InGaAs PHEMT,适用于低噪声应用
机译:低噪声InGaP / InGaAs / GaAs PHEMT的温度效应
机译:InGaAs PhEMT和InGaP HBT技术对单芯片WiMAX RF前端模块的单片集成
机译:60和94 GHz准光学单片PHEMT放大器。
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:低噪声InGap / InGaas / Gaas pHEmT的温度效应
机译:用于单片低噪声电荷放大器中的线性低频反馈的方法和装置。
机译:InGaP pHEMT器件,可在宽温度范围内运行功率放大器
机译:在单个基板上包括增强模式pHEMT设备,耗尽模式pHEMT设备和电源pHEMT设备的电子设备及其制造方法
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