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单电源低电压InGaP/InGaAsPHEMT低噪声单片放大器

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制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器。

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来源
《全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议》|2000年|161-164|共4页
会议地点海口
作者
刘训春;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类低噪声放大器;
关键词
单电源;

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