MOSFET; semiconductor device measurement; electron traps; dielectric thin films; carrier mobility; NMOS transistors; MOSFET; fast electron trapping; high-k gate dielectrics; threshold voltage magnitude; drain current DC measurements; intrinsic channel carrier mobility; pulse I/sub d/-V/sub g/ technique; DC mobility correction factor;
机译:晶体高k栅极电介质对MOSFET的评估:器件仿真和实验数据
机译:具有高k堆栈的ln_(0.7)Ga_(0.3)As MOSFET中的有效迁移率和与电荷俘获相关的边界陷阱之间的关系
机译:通过在HfO 2 sub> / TiN High-k /金属栅MOSFET中集成TmSiO界面层,在亚纳米EOT下增强了沟道迁移率
机译:高k设备中的移动性评估MOSFET
机译:快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究,用于未来的ULSI MOSFET器件集成:氧化锆和氧化ha。
机译:具有高k La2O3 / ZrO2栅极电介质的肖特基势垒SOI-MOSFET
机译:应变siGe沟道mOsFET中的空穴传输:缩放器件中的速度和应用机械应变下的迁移率