semiconductor-insulator-semiconductor devices; random-access storage; semiconductor device models; silicon; elemental semiconductors; silicon compounds; silicon-oxide-nitride-oxide-semiconductor; SONOS type nonvolatile memory cell; SiN sidewall trapping;
机译:使用HfAlO复合氧化物薄膜增强SONOS型非易失性存储器中的电荷俘获性能
机译:SONOS型非易失性存储器中HfGdO电荷俘获层的双溅射工艺灵敏度
机译:HfAlO电荷陷阱层中具有最佳Al掺杂的新型SONOS型非易失性存储设备
机译:使用SIN侧壁捕获结构的Sub-90nm嵌入式应用程序缩放2bit / cell Sonos型非易失性存储器技术
机译:用于低压非易失性半导体存储器(NVSM)的MONOS / SONOS缩放设备的物理,技术和电气方面。
机译:非易失性存储应用中Al2O3-TiAlO-SiO2栅堆叠的电子结构和电荷俘获特性
机译:高密度和低压可编程缩放Sonos非易失性存储器,用于字节和闪存型EEPROM
机译:sONOs技术适用于商用和军用非易失性存储器应用。