integrated circuit interconnections; integrated circuit metallisation; dielectric thin films; copper; adhesion; chemical vapour deposition; tantalum; tantalum compounds; silicon compounds; metal barrier layers; interconnect liner; copper interconnects; d;
机译:铜势垒介质沉积工艺对铜互连线表征的影响
机译:研究热处理对铜金属化系统中互连-势垒界面的影响
机译:硅集成电路互连技术的几何线宽和热处理对化学镀铜金属化引起的应力状态的影响
机译:工艺路线图和金属障碍的挑战
机译:用于ULSI互连的难熔过渡金属基铜扩散阻挡层的原子层沉积和性能。
机译:通过单次运行方法打印的纳米粒子墨水直写过程和无裂纹纳米铜互连中的结构继承
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机译:非晶金属合金:铜金属化薄膜扩散阻挡层的新进展