nitridation; carrier mobility; thermal stability; plasma materials processing; diffusion; hafnium compounds; silicon compounds; dielectric thin films; CMOS integrated circuits; integrated circuit testing; MOS capacitors; MOSFET; leakage currents; nitroge;
机译:通过堆叠多晶硅层的感应耦合氮等离子体氮化形成p〜+多晶硅栅极的研究
机译:通过直接和浮栅技术测量从非易失性浮动薄隧道氧化物存储器件中的超低水平陷阱辅助泄漏电流提取的缺陷的空间和能量分布
机译:W / TiN / HfSiON和W / TaSiN / HfSiON全金属栅极的蚀刻轮廓控制
机译:具有优异界面性能的多Si栅极HFSION CMOSFET等离子氮化技术对氮素分布控制,具有优异的界面性能和超低漏电流
机译:托卡马克高级操作方案中的等离子体形状和电流密度分布控制。
机译:常压等离子体氧化氮化制备的Si上SiOxNy层的界面特性
机译:带有薄氮化栅氧化物的双栅CMOSFET中应力引起的泄漏电流