silicon compounds; dielectric materials; dielectric devices; MOSFET; permittivity; leakage currents; silicon; elemental semiconductors; electron mobility; CMOS integrated circuits; oxynitride gate dielectrics; leakage current; impurity penetration; mobil;
机译:基于氧化镧/氧化硅的栅极堆叠性能增强由于CMOS应用的超氧氮化物界面引起的增强
机译:高性能35 nm栅极长度CMOS,具有NO氮氧化物栅极电介质和Ni SALICIDE
机译:高性能35nm栅极长度CMOS,没有氮氧化物栅极电介质和Ni Salicide
机译:先进CMOS技术的集成快速热CVD氧氮化物栅电介质
机译:用于ULSI CMOS技术的高级氮氧化物和氮化硅栅介质
机译:高k和更稳定的稀土氧化物作为先进CMOS器件的栅极电介质的设计
机译:用于高级CMOS应用的高K栅极电介质的研究