机译:一种确定高级CMOS器件中HfO_2和其他高K替代栅介质中电子有效隧穿质量的新颖方法
机译:具有不同高k电介质材料的闸门工程三门SOI TFET的性能研究
机译:用于高级CMOS应用的高迁移率外延GaAs / Ge沟道材料上的溅射沉积ZrO_2栅极电介质
机译:高级双金属栅极MOSFET,具有高k电介质用于CMOS应用
机译:用于硅CMOS应用的高k栅极电介质。
机译:在硅晶片上合成的用于栅极电介质应用的新型高k碳氢化合物薄膜的原子力显微镜数据
机译:基于Hf的高K栅极电介质和金属栅极叠层,用于高级CMOS器件