line edge roughness; MOSFET; simulation; leakage;
机译:栅极线边缘粗糙度对短沟道MOSFET器件掺杂轮廓影响的仿真研究
机译:栅极线边缘粗糙度是否是影响深亚微米体MOSFET器件性能的首要问题?
机译:直接评估栅极线边缘粗糙度对低于50nm n-MOSFET的扩展轮廓的影响
机译:线边缘粗糙度对具有50nm以下栅极的MOSFET器件的影响
机译:ITRS 70和50NM技术节点的包含高K栅极电介质和金属栅电极的器件的制造和评估。
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
机译:基于严格仿真的栅极工程双栅极(DG)MOSFET中栅极失准效应的研究