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机译:亚keV亚微米深器件的keV离子注入结形曲线
Al-Bayati; A.; Tandon; S.;
机译:亚微米微米ULSI技术的浅硅化物结的特性。硅化诱导的肖特基接触面积的提取
机译:模拟器件设计优化,以减少亚季度微米全耗尽SOI-MOSFET的浮体效应
机译:微米级断开结的荫罩制造及其在单纳米颗粒器件中的应用
机译:深亚季度微米器件的子KEV离子植入的结谱
机译:用于深亚四分之一微米MOSFET的激光辅助硅化钛的制造。
机译:使用不需要进入植入物主体的射线照相设备评估植入物-基台接合处的配合
机译:用于深亚四分之一微米器件的子keV离子注入的结点分布
机译:深度增强CoSi2形成形成深亚微米MOSFET中硅结的CoSi2深MOSFET MOSFET。
机译:季四微米器件中超薄硅化物的脉冲激光硅化
机译:浅结深亚微米器件制造的优化的Co / TI硅化物方案
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