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机译:亚微米微米ULSI技术的浅硅化物结的特性。硅化诱导的肖特基接触面积的提取
机译:精确提取用于四分之一微米和亚四分之一微米MOSFET的浅硅化p / sup +/- n结的反向泄漏电流分量
机译:在Si上形成高肖特基势垒的浅硅化物接触:Pd和Pt与W合金化与Pd和Pt与Si合金化
机译:适用于四分之一微米以下CMOS器件的低电阻自对准钛硅化物技术
机译:利用从多晶硅/氧化物(BDSOX)扩散的硼,具有超浅结的新型深亚微米微米PMOSFET,具有超浅结
机译:红外焦平面阵列用硅化铂/ p型硅和硅化铱/ p型硅肖特基势垒光电探测器的制造,微观结构表征和内部光响应
机译:Van der Waals与垂直肖特基结过渡金属二卤化二硅光伏电池接触的新金属转移工艺
机译:镍硅化过程中掺杂物的偏析形成陡峭的低肖特基势垒接触
机译:离子注入技术同时形成浅硅p-n结和浅硅化物 - 硅欧姆接触。