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机译:精确提取用于四分之一微米和亚四分之一微米MOSFET的浅硅化p / sup +/- n结的反向泄漏电流分量
机译:硅化硅前的氟注入抑制镍硅化硅浅结的热致泄漏
机译:Y中间层对超浅结纳米级MOSFET的重掺杂掺杂硅化镍的改进
机译:一种用于减小反向偏置pn结泄漏电流的新型MOSFET结构的设计与开发
机译:用于先进的0.13 / splμm/ m CMOS的超浅共硅化物结的漏电流和缺陷监控器
机译:独立双栅极SOI MOSFET晶体管泄漏电流的仿真分析。
机译:基因表达数据的低维性使得能够从浅层测序中准确提取转录程序
机译:新型MOSFET结构的设计与开发,用于减少反向偏置PN结漏电流
机译:离子注入技术同时形成浅硅p-n结和浅硅化物 - 硅欧姆接触。