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机译:一种用于减小反向偏置pn结泄漏电流的新型MOSFET结构的设计与开发
20 nm; band-to-band tunnelling; band to band tunnelling; BTBT; bulk MOSFET; CMOS; device simulation; junction; leakage current; TCAD; VLSI.;
机译:结边缘场对氧化物隔离结构中辐射引起的泄漏电流的影响以及MOSFET沟道边缘附近的不均匀损伤
机译:高反向偏压下AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构栅漏电流的薄表面势垒模型研究及计算机辅助设计仿真。
机译:通过分子束外延生长的氮化物半导体异质结构的设计论证和分析降低的反向偏置泄漏电流
机译:使用多晶硅层间SOI结构降低pn结泄漏电流的十年
机译:在二氧化f和基于二氧化硅的金属氧化物-硅结构中,与偏置温度不稳定性和应力引起的泄漏电流有关的缺陷的磁共振观察。
机译:通过毒性因子密码子对偏向的合成变化设计减少肺炎链球菌致病性
机译:新型MOSFET结构的设计与开发,用于减少反向偏置PN结漏电流
机译:siC pn结二极管中的快速上升时间反向偏置脉冲失效