首页> 外文会议>Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International >An anode hole injection percolation model for oxide breakdown-the 'doom's day' scenario revisited
【24h】

An anode hole injection percolation model for oxide breakdown-the 'doom's day' scenario revisited

机译:用于氧化物击穿的阳极空穴注入渗流模型-“世界末日”情景的重新审视

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摘要

A comprehensive percolation model is used to explore the role of non-uniform trap generation process on oxide breakdown. We show that this non-uniform trap generation (due to SILC and roughness induced localization) makes interpretation of experimental data difficult and can lead to incorrect projections for reliability of ultra-thin oxides.
机译:一个综合的渗流模型被用来探索不均匀的陷阱产生过程对氧化物击穿的作用。我们表明,这种不均匀的陷阱生成(由于SILC和粗糙度引起的局部化)使对实验数据的解释变得困难,并且可能导致超薄氧化物可靠性的不正确预测。

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