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刘红侠; 郝跃;
西安电子科技大学微电子研究所;
衬底热空穴; 薄栅氧化层; 击穿特性;
机译:通过Fowler-Nordheim隧道注入衬底电子期间6H-SiC和4H-SiCn金属氧化物半导体结构中的空穴注入和介电击穿
机译:在正向偏压下肖特基金属/ P-GaN / AlGaN / GaN设备中的热增强空穴注入和击穿
机译:恒压应力和衬底热载流子注入下超薄栅氧化物MOS电容器的TDDB特性
机译:Fowler-Nordheim电子隧穿注入下Si MOSFET中的衬底空穴电流产生和氧化物击穿
机译:通过碳化和单晶衬底的离子注入开发碳化硅衬底。
机译:斜向热蒸发在不同衬底温度下制备的银纳米棒阵列膜的形貌和SERS特性
机译:载流子注入到mEsFET衬底中的影响:mEsFET在半绝缘缓冲器,p衬底上的mEsFET和无衬底mEsFET上的比较
机译:通过双离子注入工艺在半导体衬底中制成的具有改善的击穿特性的电阻及其制造方法
机译:光电发光器件(即基于氮化镓的LED)具有p掺杂的平面化层,允许径向注入纳米线中的空穴,以及n型硅衬底,允许轴向注入纳米线中的电子
机译:具有良好的发光效率和寿命特性的用作空穴传输材料和空穴注入材料的有机电致发光化合物,以及使用该有机电致发光化合物的有机电致发光装置
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