机译:0.18- / splμ/ m的RF SiGe BiCMOS技术和无集电极的双多晶硅自对准HBT
机译:采用0.13 / spl mu / m SiGeC BiCMOS HBT的40 GHz单端下变频混频器
机译:第四代90nm SiGe BiCMOS技术中SiGe HBT的低温RF线性
机译:用于RF和微波应用的0.18 / SPL MU / M 90 GHz F / SUM T / SIGE HBT BICMOS,ASIC兼容,铜互连技术
机译:使用SiGe HBT BICMOS技术的高性能内存系统
机译:采用0.18μmCMOS技术的超低功耗RFID / NFC前端IC用于无源标签应用
机译:使用0.35μmSiGeBiCMOS技术为IEEE 802.11a应用设计4.2-5.4 GHz差分LC VCO